3.75GHz 0.35μm CMOS1∶4静态分频器集成电路设计 |
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作者姓名: | 包志华 景为平 |
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作者单位: | 南通工学院信息工程系 江苏南通226007(包志华),南通工学院信息工程系 江苏南通226007(景为平) |
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摘 要: | 给出了一个利用 0 35 μmCMOS工艺实现的 1∶4静态分频器设计方法。该分频器采用源极耦合场效应管逻辑电路 ,基本结构与T触发器相同。测试结果表明 ,当电源电压为 3 3V、输入信号峰峰值为 0 5V时 ,芯片可以工作在 3 75GHz,功耗为 78mW。
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关 键 词: | 集成电路 分频器 CMOS工艺 |
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