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| MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性 | |
| 引用本文： | 张晓波,杜国同.MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性[J].吉林大学自然科学学报,1995(3):53-56. |
| 作者姓名： | 张晓波 杜国同 |
| 摘 要： | 使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。 |
| 关 键 词： | MOCVD生长技术 外延层 发光特性 磷化铟 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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