| 退火对p 型GaP 和p 型AlGaInP载流子浓度的影响 |
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| 引用本文： | 李述体,范广涵,周天明,孙慧卿,王浩,郑树文,郭志友.退火对p 型GaP 和p 型AlGaInP载流子浓度的影响[J].华南师范大学学报(自然科学版),2004,0(1):67-70. |
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| 作者姓名： | 李述体 范广涵 周天明 孙慧卿 王浩 郑树文 郭志友 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关计划资助项目(00-068)，华南师范大学博士启动资金资助项目(660119) |
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| 摘 要： | 采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.相关研究表明退火对p型GaP和p型AlGaInP载流子浓度有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5 6×1018cm-3增大到6 5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6 0×1017cm-3增大到1 1×1018cm-3.这可能是由于退火破坏了Mg-H复合体,恢复了Mg受主的活性导致的.
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| 关 键 词： | 半导体 光致发光 砷化镓 载流子浓度 退火 |
| 文章编号： | 1000-5463(2004)01-0067-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月4日 |
THE INFLUENCE OF THERMAL ANNEALING TO THE CARRIER CONCENTRATION OF p-GAP AND p-ALGAINP LAYERS |
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| LI Shu-ti,FAN Guang-han,ZHOU Tian-ming,SUN Hui-qing,WANG Hao,ZHENG Shu-wen,GUO Zhi-you.THE INFLUENCE OF THERMAL ANNEALING TO THE CARRIER CONCENTRATION OF p-GAP AND p-ALGAINP LAYERS[J].Journal of South China Normal University(Natural Science Edition),2004,0(1):67-70. |
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| Authors: | LI Shu-ti FAN Guang-han ZHOU Tian-ming SUN Hui-qing WANG Hao ZHENG Shu-wen GUO Zhi-you |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor AlGaInP AlGaInP/GaInP MQW ECV photoluminescence |
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