| 多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析 |
| |
| 引用本文： | 郑祥钦.多孔硅光致发光激发谱测量与机理分析[J].科学通报,1993,38(23):2128-2128. |
| |
| 作者姓名： | 郑祥钦 |
| |
| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构实验室，南京大学物理系固体微结构实验室，南京大学物理系固体微结构实验室，南京大学物理系固体微结构实验室 南京 210008，南京 210008，南京 210008，南京 210008 |
| |
| 摘 要： | 对多孔硅光致发光光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE)的研究可以获得许多有关多孔硅发光机理的信息。已有许多文章报道了多孔硅发光的光谱特性和多孔硅的制备条件以及后续处理之间的关系,并据此提出了不同的发光模型。也有人对多孔硅的发光特性和激发条件间的关系进行了研究,并提出多孔硅的发光和表面态或荧光中心有关。我们用不同波长的单色光作激发源,测量了多孔硅发光的光谱特性,并用连续变化波长的单色光作激发源,测量
|
| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 量子限制效应 硅 |
| 收稿时间： | 1993-03-24 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|
