| 低压大电流VDMOS器件栅电荷测量 |
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| 引用本文： | 蒋苓利,罗萍,蒲奎,赵璐.低压大电流VDMOS器件栅电荷测量[J].实验科学与技术,2006,4(Z1):49-51. |
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| 作者姓名： | 蒋苓利 罗萍 蒲奎 赵璐 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,成都,610054 |
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| 摘 要： | 为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性,对器件栅电荷特性进行了测量和提取.通过栅电荷曲线(VGS-QG),能导出器件的电容特性,驱动电流大小及能量损耗等相关参数.分析了栅电荷测试电路基本原理,提出一种可行的测试电路,PSPICE仿真和实际电路测试证明了该电路的正确性.
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| 关 键 词： | 栅电荷 栅电容 VDMOS器件 测试电路 |
| 文章编号： | 1672-4550(2006)07-0049-04 |
| 修稿时间： | 2006年7月19日 |
Gate Charge Test for Low Voltage High Current Power VDMOS |
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| JIANG Ling-li,LUO Ping,PU Kui,ZHAO Lu.Gate Charge Test for Low Voltage High Current Power VDMOS[J].Experiment Science & Technology,2006,4(Z1):49-51. |
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| Authors: | JIANG Ling-li LUO Ping PU Kui ZHAO Lu |
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| Abstract: | |
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