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分子电负性距边连接性标量指数(∧)在金属卤化物的结构表达和性质预测中的应用
作者姓名:胡力玫 仇亮加 等
作者单位:[1]重庆师范学院化学系,重庆400047 [2]重庆大学化学化工学院,重庆400044
摘    要:基于化合物分子的拓扑图结构建立的分子电负性距连接性指数(a novel scalar index of molecular electronegativity distance-edge connectivity,Imedc,∧),在对有机物的定量构效关系(QSAR/QSPR)研究中,具有高度选择性、相关性、稳定性和良好的预测能力;本文尝试将其扩展到无机物:以分子电负性距边连接性指数(Imedc,∧)实现对金属卤代化合物的结构性质的表征及相关研究。运用多元线性回归(MLR)方法,以此分子电负性距边连接性指数建立20个碱金属卤代化合物的晶格能(U)和34个过渡族金属卤代化合物的标准生成焓(△fH^θ)结构性质相关模型,对于碱金属卤代化合物的晶格能相关模型的相关系数为RMX=0.9732(n=20),对于过渡族金属卤代化合物的标准生成焓RMX=0.8907(n=34),取得令人满意的结果。

关 键 词:金属卤化物 结构表达 性质预测 分子电负性距边连接性标量指数 晶格能 标准生成焓 多元线性回归分析
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