| 稀土元素Gd掺杂氮化物半导体在自旋电子器件中的应用 |
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| 引用本文： | 周逸凯. 稀土元素Gd掺杂氮化物半导体在自旋电子器件中的应用[J]. 上海师范大学学报(自然科学版), 2015, 44(4): 404-411 |
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| 作者姓名： | 周逸凯 |
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| 作者单位： | 上海师范大学 |
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| 摘 要： | 本研究利用分子束外延的方法生长了Gd掺杂氮化物半导体。根据X线衍射和XAFS测定未有发现第二相的析出。观察到了来自InGdGaN的光致发光，发光峰随着InN的摩尔份数的变化而变化。这些材料在室温明显地观测到了磁滞曲线。Si共掺杂的GaGdN超晶格显示出了超大的磁矩，其原因可归于载流子诱发铁磁。最后，说明了这一材料在自旋发光二极管中的应用。
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 铁磁性 光致发光 硅共掺杂 超晶格 自旋半导体器件 |
| 收稿时间： | 2015-06-23 |
Gadolinium-doped m-nitride diluted magnetic semiconductors for spintronics applications |
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| ZHOU Yikai. Gadolinium-doped m-nitride diluted magnetic semiconductors for spintronics applications[J]. Journal of Shanghai Normal University(Natural Sciences), 2015, 44(4): 404-411 |
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| Authors: | ZHOU Yikai |
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| Affiliation: | College of Mathematics and Sciences,Shanghai Normal University |
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