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正常金属—绝缘层—d波超导结中的隧道谱与散粒噪声
引用本文:陈华宝. 正常金属—绝缘层—d波超导结中的隧道谱与散粒噪声[J]. 四川师范大学学报(自然科学版), 2001, 24(6): 592-595
作者姓名:陈华宝
作者单位:淮阴师范学院物理系
基金项目:江苏省教育厅自然科学基金项目(00KJD140003)
摘    要:在正常金属-绝缘层-d波超导隧道结中,考虑到绝缘层的势垒散射效应,运用Bogoliubov-de Gennes方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk理论模型,计算系统的微分电导和散粒噪声随偏压的变化关系,研究表明,绝缘层的势垒高度与绝缘层的厚度都能使:(1)零偏压电导峰变得尖锐;(2)微分散粒噪声的峰位置向零偏压处位移;(3)散粒噪声功率与平均电流的比值随绝缘层厚度与高度的增大在大偏压下趋于2e值。

关 键 词:隧道谱 散粒噪声 正常金属-绝缘层-d波超导结
文章编号:1001-8395(2001)06-0592-04
修稿时间:2001-10-08

The Tunneling Spectroscopy and Shot Noise in Normal Metal-insulator-d-wave Superconductor Junctions
CHEN Hua-bao. The Tunneling Spectroscopy and Shot Noise in Normal Metal-insulator-d-wave Superconductor Junctions[J]. Journal of Sichuan Normal University(Natural Science), 2001, 24(6): 592-595
Authors:CHEN Hua-bao
Abstract:Taking into account the scattering effect of the insulator in normal metal-insulator-d-wave superconductor junctions, and using the Bogoliubov-de Gennes equation and the Blonder-Tinkham-Klapwijk model, we calculate the differential conductance and shot noise. It is shown that,(1)the zero-bias conductance peak will become more sharp; (2) the position of thedifferential shot noise peak is moved to zero-bias; (3) the shot noise power to current ratio will tend to 2e value in higher bias, with the barrier height and width of the insulator increased.
Keywords:Tunneling spectroscopy  Shot noise  d-wave superconductor
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