| 温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响 |
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| 引用本文： | 王广宁,郎颖,姜威,陈婷婷,张伟光.温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,2012,28(5). |
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| 作者姓名： | 王广宁 郎颖 姜威 陈婷婷 张伟光 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学 |
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| 基金项目： | 黑龙江省教育厅科学技术研究重点项目，黑龙江省高等教育教学改革项目 |
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| 摘 要： | 通过化学气相沉积方法(CVD)制备了ZnO纳米线,并且利用微栅电极法制备了单根ZnO纳米线真空传感器.ZnO纳米线的电阻率随真空度的提高而降低,在p=10 Pa时,室温情况下的电阻约为高温情况下(T=325℃)的1000倍.而在p=1 ×105 Pa时,室温情况的电阻是高温情况下的10倍.这种巨大变化主要是由于真空度迅速的升高,吸附在纳米线的表面的氧负离子进行了脱附的作用之后,使得耗尽层厚度降低,纳米线内部可参与导电的电子数增多,此时温度对纳米线的影响作用才会很大,导致纳米线电阻率迅速降低.
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| 关 键 词： | 单根ZnO纳米线 I-V特性 真空传感器 |
The Influence of Temperature Dependent Characterization of Vacuum Pressure Sensor of Single ZnO Nanowire |
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| Wang Guangning,Lang Ying,Jiang Wei,Chen Tingting,Zhang Weiguang.The Influence of Temperature Dependent Characterization of Vacuum Pressure Sensor of Single ZnO Nanowire[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,2012,28(5). |
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| Authors: | Wang Guangning Lang Ying Jiang Wei Chen Tingting Zhang Weiguang |
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