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| CdS多晶薄膜的制备及其性能 | |
| 引用本文： | 陈晓东,武卫兵,陈宝龙,张楠楠.CdS多晶薄膜的制备及其性能[J].济南大学学报(自然科学版),2014(5):382-385. |
| 作者姓名： | 陈晓东 武卫兵 陈宝龙 张楠楠 |
| 摘 要： | 采用化学水浴法(CBD)及85~65℃的高低温工艺模式,在醋酸镉体系中制备大面积硫化镉CdS多晶薄膜,经X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见分光光度计(UV-VIS)等测试表征CdS多晶薄膜结构、形貌及光学性质。结果表明:CdS在85℃条件下快速成核,再逐渐降温至65℃慢速生长,可使大面积CdS多晶薄膜的粒径较大(约60 nm)、均匀性较好、致密度较高。通过优化85℃到65℃的高低温生长工艺,降温速率为2℃/min的条件下制备出厚度约50 nm的超薄CdS多晶薄膜,经氮气气氛400℃退火处理后,CdS晶粒长大,透过率降低,禁带宽度变窄。 |
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