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| 用CVD法合成高T_cNb_3Ge实用超导体的基体温度理论研究 | |
| 引用本文： | 曾庆琳.用CVD法合成高T_cNb_3Ge实用超导体的基体温度理论研究[J].科学通报,1981,26(19):1184-1184. |
| 作者姓名： | 曾庆琳 |
| 作者单位： | 冶金部长沙矿冶研究所 |
| 摘 要： | Nb_3Ge的临界温度Tc最高(23.2K),它具有三高(高Tc、Jc、Hc_2)一低(低损耗)的优良特性。广为世界各国探索高临界温度超导工作者的研究中心课题,其中化学气相沉积法(简称CVD法)研究最为广泛,至今尚未看到有Nb_3Ge实用长带制备成功的报道,而炽热基体温度是合成Nb_3Ge实用带的关键,因此,笔者从化学热力学的角度进行了探讨。本文是在Wan等进行过Nb-Ge-H-Cl体系的平衡CVD相图所提供的热力学数据的基楚上,探讨在总压为 |
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