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| 氢离子敏感半导体器件的研制 | |
| 引用本文： | 方培生,黄强.氢离子敏感半导体器件的研制[J].西安交通大学学报,1982(1). |
| 作者姓名： | 方培生 黄强 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系 (方培生)，西安交通大学基础课程部(黄强) |
| 摘 要： | 本文介绍氢离子敏感半导体器件.它具有体积小,性能可靠,响应时间快等优点,可以代替普通玻璃电极.在缓冲溶液中,检测氢离子的活度时,实验结果证明,在酸、碱溶液中,测得的漏源电流I_(DS)与溶液的PH值呈线性关系;V_(GS)~(?)与PH值呈线性关系.据国外报道1],采用SiO_2膜作为敏感层的氢离子敏感半导体器件,寿命短,不稳定,测量氢离子活度范围窄(PH值在7～8.5之间),且未报道制作的具体工艺.国内也尚未见这方面的报道.我们针对以上问题,改进了工艺条件,试验成功氢离子敏感半导体器件,其性能稳定,并扩大了测量氢离子活度范围(PH值在2～11之间). |
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