稀土Er掺杂Ⅲ—V半导体发光材料的制作期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

稀土Er掺杂Ⅲ—V半导体发光材料的制作

作者姓名：	王飞武

作者单位：	河海大学机械学院基础课部

摘要：	本文报道采用离子注入法在Ⅲ—V半导体(GaAs,InP)中掺Er,用优良退火技术可得到效果较好的光致发光材料.
关键词：	离子注入退火光致发光材料
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