| R(Fe, Si)12(R=Y, Nd)化合物的电子结构与磁性 |
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| 引用本文： | 孙光爱,陈波,杜红林,樊志剑,高涛,齐新华.R(Fe, Si)12(R=Y, Nd)化合物的电子结构与磁性[J].中国科学(G辑),2005,35(5):513-520. |
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| 作者姓名： | 孙光爱 陈波 杜红林 樊志剑 高涛 齐新华 |
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| 作者单位： | 1. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900
2. 北京大学物理学院,北京,100871
3. 四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065 |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院科学技术基金资助项目（批准号：20040863） |
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| 摘 要： | 介绍了新近发展的基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波((L)APW)+局域轨道(lo)方法, 并对R(Fe, Si)12化合物(R=Y, Nd)作了理论计算. 由结构优化后的单胞总能量分析了Si原子的占位分布, 计算得到并分析了Si原子替代晶位不同引起的原子磁矩、总态密度和局域态密度的变化特点. 结果表明RFe10Si2化合物(R=Y, Nd)饱和磁矩明显大于同类RFe10M2化合物(M=Ti, V, Cr, Mn, Mo和W), Si原子在化合物中存在两种杂化机制, Si(8j)原子会同时减小3种晶位Fe原子磁矩, Si(8f )则主要减小Fe(8i)与Fe(8j)原子磁矩. 由Fermi面态密度变化分析认为加入Si原子会大大提高化合物居里温度.
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| 关 键 词： | R(Fe Si)12(R=Y Nd) 磁距 态密度 (L)APW+lo方法 |
| 收稿时间： | 2005-01-11 |
| 修稿时间： | 2005-01-112005-05-16 |
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