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| 氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED | |
| 引用本文： | 张源涛,邓高强,孙瑜.氮极性AlGaN基隧道结深紫外LED[J].吉林大学学报(信息科学版),2023(5):767-772. |
| 作者姓名： | 张源涛 邓高强 孙瑜 |
| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院 |
| 摘 要： | 针对AlGaN(Aluminum Gallium Nitride)基深紫外LED(Light Emitting Diode)发光效率低、工作偏压较大的问题，设计了一种带有n+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaN隧道结的氮极性AlGaN基深紫外LED器件结构。该结构由n-Al0.65Ga0.35N电子提供层、 Al0.65Ga0.35N/Al0.5Ga0.5N多量子阱、组分渐变p-AlxGa1-xN和n+-GaN/Al0.4Ga0.6N/p+-GaN隧道结构成。研究结果表明，相比于无隧道结的参考LED,隧道结LED具有更高的内量子效率和光输出功率，同时其具有更低的开启电压。隧道结LED光电特性的改善，归因于隧道结的引入提升了LED的... |
| 关 键 词： | 深紫外LED 隧道结 铝镓氮 氮化物半导体 |