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| 下一代半导体器件——RHET | |
| 引用本文： | 赵春华.下一代半导体器件——RHET[J].世界科学,1993(2). |
| 作者姓名： | 赵春华 |
| 摘 要： | 超晶格器件作为来来新型半导体器件,引起了人们的关注。所谓超晶格器件,就是使用高技术、人工控制达到原子级排列的器件。是不延用原来半导体技术的下一代器件。最近,这种超晶格器件由通产省从下一代到21世纪的超级计划推出。并命名为“RHET”(共振隧道效应强电子半导休管),其极精密的超高速、超多重处理技术,极大地促进了集成电路的进展。这项RHET的发明,是富士通研究所机能设计研究部部长横山直树。在此,对横山氏在RHET研 |
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