| AlGaN/GaN HEMT 微加速度计的设计和温度特性研究 |
| |
| 引用本文： | 赵晓霞.AlGaN/GaN HEMT 微加速度计的设计和温度特性研究[J].科学技术与工程,2013,13(18):5320-5324. |
| |
| 作者姓名： | 赵晓霞 |
| |
| 作者单位： | 山西太原中北大学 |
| |
| 摘 要： | 采用一种新原理来设计AlGaN/GaN HEMT加速度计,从理论和实验两方面分析和验证了温度的变化对加速度计的输出特性带来的影响。测试了AlGaN/GaN基HEMT器件在常温下的Ⅰ-Ⅴ特性和在不同温度下输出特性的变化。结果表明,随着温度的升高,器件的饱和电流减小。根据计算速率约为0.027 mA/℃。加速度计可以在-50℃—50℃的温度安全稳定的工作。
|
| 关 键 词： | GaN HEMT 加速度计 温度依赖性 Ⅰ-Ⅴ特性 |
| 收稿时间： | 2013/3/11 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2013/4/17 0:00:00 |
The The Design of AlGaN/GaN Based HEMT micro-accelerometer and TemperatureDependence Characteristics |
| |
| zhaoxiaoxia.The The Design of AlGaN/GaN Based HEMT micro-accelerometer and TemperatureDependence Characteristics[J].Science Technology and Engineering,2013,13(18):5320-5324. |
| |
| Authors: | zhaoxiaoxia |
| |
| Institution: | (National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology,North University of China,Taiyuan 030051,P.R.China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学技术与工程》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学技术与工程》下载免费的PDF全文 |
