半导体中离子注入瞬时掺杂的温度计算 |
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引用本文: | 黄宁康,郭才陶.半导体中离子注入瞬时掺杂的温度计算[J].四川师范大学学报(自然科学版),1986(3). |
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作者姓名: | 黄宁康 郭才陶 |
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作者单位: | 四川大学
(黄宁康),四川师大(郭才陶) |
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摘 要: | 本文对半导体中离子注入瞬时掺杂时靶片的瞬时温度进行理论计算,给出了靶片瞬时温度跟注入离子能量、束流密度以及靶片材料性能参数的关系式,作出了靶片中温度瞬态空间分布的归一化曲线,列举了B~ ,As~ 离子注入Si 中在不同束流功率密度下靶片瞬时温升的计算值。
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