| In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长 |
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| 引用本文： | 祝进田,杨树人,陈佰军,胡礼中,王本中,刘宝林,王志杰,刘式墉. In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长[J]. 吉林大学学报(理学版), 1993, 0(1) |
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| 作者姓名： | 祝进田 杨树人 陈佰军 胡礼中 王本中 刘宝林 王志杰 刘式墉 |
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| 作者单位： | 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023，吉林大学电子科学系，长春 130023 |
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| 摘 要： | 本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.
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| 关 键 词： | 三甲基镓 三乙基铟 量子阱结构 |
LP-MOVPE Growth of In_1-xGa_xAs/InP Multiquantum Trap Structure |
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| Zhu Jintian,Yang Shuren,Chen Baijun,Hu Lizhong,Wang Benzhong,Liu Baolin,Wang Zhijie,Liu Shiyong. LP-MOVPE Growth of In_1-xGa_xAs/InP Multiquantum Trap Structure[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 1993, 0(1) |
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| Authors: | Zhu Jintian Yang Shuren Chen Baijun Hu Lizhong Wang Benzhong Liu Baolin Wang Zhijie Liu Shiyong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | trimethylgallium triethylindium quantum well structure |
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