| GaN大失配异质外延技术 |
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| 引用本文： | 张荣,顾书林,沈波,修向前,卢佃清,施毅,郑有炓,王占国.GaN大失配异质外延技术[J].苏州科技学院学报(自然科学版),2002,19(1):1-3. |
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| 作者姓名： | 张荣 顾书林 沈波 修向前 卢佃清 施毅 郑有炓 王占国 |
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| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,江苏,南京,210093
2. 中科院北京半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究规划项目G2 0 0 0 0 6 83,“86 3”,高技术研究计划、国家杰出青年研究基金 (6 0 0 2 5 411),国家自
然科学基金 (6 9976 0 14,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ) |
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| 摘 要： | 1 引言以ＧａＮ及ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其 1 .9- 6.2ｅＶ连续可变的直接带隙 ,优异的物理、化学稳定性 ,高饱和电子漂移速度 ,高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料。目前用于ＧａＮ外延生长的主要方法有 :金属有机化学汽相淀积 (ＭＯＣＶＤ) ,分子束外延 (ＭＢＥ)和氢化物汽相外延 (ＨＶＰＥ)等。其中ＭＯＣＶＤ是使用最广泛和实用的外延生长方法 ,具有很强的工业应用背景。ＨＶＰＥ技术…
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| 文章编号： | 1004-5201(2002)01-0001-03 |
| 修稿时间： | 2001年12月5日 |
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