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| 外尔半金属Co3Sn2S2薄膜的制备和电磁性质研究 | |
| 引用本文： | 李首翰,崔驰,李威,杨燚,黄润生.外尔半金属Co3Sn2S2薄膜的制备和电磁性质研究[J].南京大学学报(自然科学版),2023(4):705-712. |
| 作者姓名： | 李首翰 崔驰 李威 杨燚 黄润生 |
| 作者单位： | 1. 南京大学物理学院;2. 南京大学电子科学与工程学院 |
| 摘 要： | 外尔半金属Co3Sn2S2是一种新型的拓扑量子材料，具有独特的拓扑能带结构，被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料，而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在Si O2(300 nm)/Si(100)和Al2O3(0001)衬底上生长Co3Sn2S2薄膜.X射线衍射(XRD,X-ray Diffraction)显示Co3Sn2S2薄膜的结构随厚度而变化.在不同衬底上，Co3Sn2S2薄膜的生长情况也不同，较薄的Co3Sn2S2 (<200 nm)适合生长在Al2O3(0001)衬底上，而较厚的Co3Sn |
| 关 键 词： | 外尔半金属 Co3Sn2S2 磁控溅射法 |