| 基于GaAs pHEMT工艺的宽带6位数字移相器MMIC |
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| 引用本文： | 周守利,顾磊,张景乐,吴建敏.基于GaAs pHEMT工艺的宽带6位数字移相器MMIC[J].南京大学学报(自然科学版),2023(1):183-188. |
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| 作者姓名： | 周守利 顾磊 张景乐 吴建敏 |
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| 作者单位： | 1. 浙江工业大学信息工程学院;2. 杭州萧山技师学院 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金（2013M540147）； |
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| 摘 要： | 基于0.15μm GaAs pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺，研制了一款6位数字移相器微波单片集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC）.该移相器由六个基本移相位级联组成，工作频带为10～18 GHz，步进值为5.625°，移相范围为0～360°，具有64个移相态.根据最优拓扑选择理论，5.625°，11.25°，22.5°移相位采用桥T型结构，降低了移相器的插损及面积；采用开关型高低通滤波器结构实现45°，90°，180°移相位，提高了大移相位的移相精度，并有效降低了寄生调幅.实测结果表明：64态移相寄生调幅均方根误差小于0.6 dB，移相输入输出回波损耗低于-11 dB，移相均方根误差小于4.2°，基态插入损耗低于8.6 dB.芯片尺寸为3.35 mm×1.40 mm.该数字移相器具有宽频带、高移相精度、尺寸小的特点，主要用于微波相控阵T/R组件、无线通信等领域.
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| 关 键 词： | GaAs pHEMT 宽带 数字移相器 微波单片集成电路 |
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