首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

掺Nb5+钨酸铅晶体的计算机模拟
引用本文:陈腾,刘廷禹,张启仁,田东升,张秀彦.掺Nb5+钨酸铅晶体的计算机模拟[J].上海理工大学学报,2006,28(6):511-514.
作者姓名:陈腾  刘廷禹  张启仁  田东升  张秀彦
作者单位:上海理工大学,理学院,上海,200093
基金项目:上海市重点学科建设资助项目(T0501)
摘    要:应用GULP计算软件模拟计算了掺Nb5 的PbWO4(PWO)晶体中,Nb5 可能存在的位置以及对应的各种缺陷的生成能.通过比较生成能的大小确定了Nb5 在PWO晶体中最可能的存在方式,并对其电荷补偿机制进行了分析.计算结果表明,在掺Nb5 ∶PWO中,Nb5 首先占据邻近缺氧的W6 位,但不可能由F心或F 心来作为补偿,其电荷补偿形式应为NbO3 VO] —NbO4]-,改变了在晶体中与350 nm吸收带有关的氧空位V2O 的电荷补偿机制,从而抑制了350nm吸收.

关 键 词:PbWO4晶体  掺杂  缺陷模型  计算机模拟  GULP
文章编号:1007-6735(2006)06-0511-04
收稿时间:2006-03-08
修稿时间:2006年3月8日

Computer simulation of Nb-doping PbWO4 crystal
CHEN Teng,LIU Ting-yu,ZHANG Qi-ren,TIAN Dong-sheng,ZHANG Xiu-yan.Computer simulation of Nb-doping PbWO4 crystal[J].Journal of University of Shanghai For Science and Technology,2006,28(6):511-514.
Authors:CHEN Teng  LIU Ting-yu  ZHANG Qi-ren  TIAN Dong-sheng  ZHANG Xiu-yan
Institution:College of Science, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China
Abstract:
Keywords:PbWO_4 crystal  doping  defect model  computer simulation  GULP
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《上海理工大学学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《上海理工大学学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号