稳态层片共晶长生模型:I.理论分析 |
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引用本文: | 姚向东,黄韬.稳态层片共晶长生模型:I.理论分析[J].自然科学进展,1996,6(6):679-684. |
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作者姓名: | 姚向东 黄韬 |
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作者单位: | [1]中国科学院金属研究所 [2]西北工业大学凝固技术国家重点实验室 |
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摘 要: | 修正了JH经典模型关于平界面生长假设,建立新的层片共晶生长模型。应用严格的界面曲率数学公式,数值计算界面过冷度普适性方程,获得正确的共晶生长界面形态。并计算了稳态相间距选择极限,表明层片共晶生长存在稳态间距选择范围,随生长速度增大,选择范围越来越尖锐。最小相间距λm和JH及Trivedi模型结果一致,而最大相间距λM则不遵循上述经典模型。
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关 键 词: | 共晶生长 界面过冷度方程 晶体生长 |
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