| 高亮度InGaAIP DH LED结构设计的研究 |
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| 引用本文： | 文尚胜,范广涵,廖常俊,刘颂豪. 高亮度InGaAIP DH LED结构设计的研究[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2000, 0(2): 13-16 |
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| 作者姓名： | 文尚胜 范广涵 廖常俊 刘颂豪 |
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| 作者单位： | 1. 华南师范大学量子电子研究所,广州,510631;华南理工大学应用物理学系,广州,510641
2. 华南师范大学量子电子研究所,广州,510631 |
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| 基金项目： | 广东省广州市科技局科技攻关项目，JB02)1999-Z-035-01， |
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| 摘 要： | ＩｎＧａＡｌＰ双异质结ＬＥＤ结构设计的目的在于减少器件的光，电，热损耗。本文分析各层成分，层厚度，掺杂浓度以及有关的辅助技术，例如厚电流扩展层，电流隔离层，布拉格反射层，金属电镀反射层，透明衬底等对ＬＥＤ性能的影响，提出一个性能优良的高亮度ＬＥＤ应具有的结构模式。
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| 关 键 词： | InGaAlP 高亮度发光二级管 双异质结 LED |
| 修稿时间： | 1999-07-13 |
RESEARCH OF STRUCTURAL DESIGN FOR InGaAlP HIGH BRIGHTNESS DOUBLE HETEROJUNCTION LED |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAlP |
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