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快速热氮化改善n—MOSFET氧化层的加速击穿
作者姓名:
黄美浅 李观启
摘 要:
研究不同类型,不同沟道长的n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明,MOSFET栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流,而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。
关 键 词:
击穿电压 MOSFET 栅氧化层 热氮化 二氧化硅
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