|
|||||
|
|
| 快速热氮化改善n—MOSFET氧化层的加速击穿 | |
| 引用本文： | 黄美浅,李观启.快速热氮化改善n—MOSFET氧化层的加速击穿[J].华南理工大学学报(自然科学版),1995,23(12):89-94. |
| 作者姓名： | 黄美浅 李观启 |
| 摘 要： | 研究不同类型，不同沟道长的ｎ沟金属－氧化物－半导体场效应晶体管在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明，ＭＯＳＦＥＴ栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流，而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。 |
| 关 键 词： | 击穿电压 MOSFET 栅氧化层 热氮化 二氧化硅 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |