| 退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响 |
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| 引用本文： | 李观启 赵寿南. 退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 1995, 23(12): 64-68 |
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| 作者姓名： | 李观启 赵寿南 |
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| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系 |
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| 摘 要： | 利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。
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| 关 键 词： | 二氧化硅 退火 硅 氧化应力 薄膜 电性质 |
EFFECT OF ANNEALING ON OXIDIZED STRESS AND ELECTRICAL CHARACTREISTICS IN SiO_2-Si SYSTEM |
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| Li Guanqi, Zhao Shounan, Zhong Gang, Huallg Meiqian. EFFECT OF ANNEALING ON OXIDIZED STRESS AND ELECTRICAL CHARACTREISTICS IN SiO_2-Si SYSTEM[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 1995, 23(12): 64-68 |
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| Authors: | Li Guanqi Zhao Shounan Zhong Gang Huallg Meiqian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon oxide stress annealing |
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