| 退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响 |
| |
| 引用本文： | 李观启,赵寿南.退火对硅中氧化应力及SiO2膜电特性的影响[J].华南理工大学学报(自然科学版),1995,23(12):64-68. |
| |
| 作者姓名： | 李观启 赵寿南 |
| |
| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系 |
| |
| 摘 要： | 利用红外激光光弹测量系统和森纳蒙特补偿法，测量了硅中的氧化应力；研究了中间退火和后退火条件对硅中氧化应力的影响，以及氧化应力与ＳｉＯ２膜的电击性和固定电荷密度的关系。
|
| 关 键 词： | 二氧化硅 退火 硅 氧化应力 薄膜 电性质 |
EFFECT OF ANNEALING ON OXIDIZED STRESS AND ELECTRICAL CHARACTREISTICS IN SiO_2-Si SYSTEM |
| |
| Li Guanqi, Zhao Shounan, Zhong Gang, Huallg Meiqian.EFFECT OF ANNEALING ON OXIDIZED STRESS AND ELECTRICAL CHARACTREISTICS IN SiO_2-Si SYSTEM[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1995,23(12):64-68. |
| |
| Authors: | Li Guanqi Zhao Shounan Zhong Gang Huallg Meiqian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | silicon oxide stress annealing |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
