氢化非晶硅膜在半导体器件表面钝化上的应用 |
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引用本文: | 毛友德
,王和照
,许方宏
,刘声雷.氢化非晶硅膜在半导体器件表面钝化上的应用[J].合肥工业大学学报(自然科学版),1981(4). |
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作者姓名: | 毛友德 王和照 许方宏 刘声雷 |
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摘 要: | 本文叙述一种新的钝化膜——氢化非晶硅(a—Si:H)薄膜在硅半导体器件表面钝化上的应用。发现这种薄膜复盖于器件表面可以使PN结的反向漏电流明显减小,器件的小电流h_(FE)有较大幅度的提高。试验了三种不同的钝化方案,并对其钝化效果作了比较。根据实验结果,初步探讨了这种氢化非晶硅薄膜的钝化机理,指出其良好的钝化作用在于这种薄膜具有半绝缘、电中性和富含氢的特点。给出了钝化器件的长期可靠性试验结果。
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