| P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究 |
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| 引用本文： | 方亮,王万录.P型金刚石薄膜压阻效应的理论研究[J].重庆大学学报(自然科学版),2000,23(1):78-81,92. |
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| 作者姓名： | 方亮 王万录 |
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| 作者单位： | 重庆大学理学院应用物理系!重庆400044，重庆大学材料学院材料学系，重庆大学理学院应用物理系!重庆400044，重庆大学材料学院材料学系，重庆大学理学院应用物理系!重庆400044，重庆大学材料学院材料学系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!（69486001） |
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| 摘 要： | 结合形变势理论和价带分裂模型，对硼掺杂Ｐ型金刚石薄膜的压阻效应进行了分析和讨论。结果表明，金刚石中轻、重空穴有效质量的巨大差异是导致其具有显著压阻效应的主要原因之一。并推导出应变诱导轻、重空穴带分裂时压阻因子的近似计算公式，计算结果与实验结果一致。
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| 关 键 词： | 金刚石 薄膜 化学汽相沉积 压阻效应 P型 |
Study on the Piezoresistive Effect in P type Diamond Films |
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| FANG Liang,WANG Wan lu,DING Pei dao,LIAO Ke jun,WANG Jian.Study on the Piezoresistive Effect in P type Diamond Films[J].Journal of Chongqing University(Natural Science Edition),2000,23(1):78-81,92. |
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| Authors: | FANG Liang WANG Wan lu DING Pei dao LIAO Ke jun WANG Jian |
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| Institution: | FANG Liang 1,2,WANG Wan lu 1,DING Pei dao 2,LIAO Ke jun 1,WANG Jian 2 |
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| Abstract: | The piezoresisitive effect of p type diamond films is analyzed by deformation potential theory and valence bands split off model.It is found that the great difference of the efficient mass between the heavy and light hole of diamond is one of the main factors which are responsible for the piezoresistive effect in the p type diamond films.The gauge factor calculation formula is obtained according to the strain induced heavy and light hole band splitting off model,and the calculation results are in accordance with the experimental results. |
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| Keywords: | diamond films chemical vapour deposition / piezoresistive effect |
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