| 非晶硅低温退火固相晶化的研究 |
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| 引用本文： | 饶海波 杜开瑛. 非晶硅低温退火固相晶化的研究[J]. 四川大学学报(自然科学版), 1993, 30(4): 468-472 |
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| 作者姓名： | 饶海波 杜开瑛 |
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| 作者单位： | 四川大学物理系(饶海波)，四川大学物理系(杜开瑛) |
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| 摘 要： | 从PECVD法制取的n~+与n/n~+两种结构的a-Si:H试样,采用低温退火固相晶化工艺,得到了满足器件质量要求的大晶粒多晶硅膜。测试结果证实:在N_2气氛下,经6—10h的600℃(或800℃)温度的退火后,两种a-Si:H膜均已明显地晶化.测得了晶化膜的粒径>lμm,暗电导率、光电导率均比退火前增加了3个数量级,迁移率则增加了10—80倍。
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| 关 键 词： | 非晶硅 低温退火 固相晶化 膜 |
THE SOLID PHASE CRYSTALLIZATION OF THE AMORPHOUS SILICON FILMS BY LOW TEMPERATURE ANNEALING |
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| Rao Haibo Du Kaiying. THE SOLID PHASE CRYSTALLIZATION OF THE AMORPHOUS SILICON FILMS BY LOW TEMPERATURE ANNEALING[J]. Journal of Sichuan University (Natural Science Edition), 1993, 30(4): 468-472 |
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| Authors: | Rao Haibo Du Kaiying |
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| Affiliation: | Department of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | amorphous silicon low temperature annealing solid phase crystallizating. |
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