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等离子体焦点中的毫微秒脉冲沿面放电
引用本文:曾大雄.等离子体焦点中的毫微秒脉冲沿面放电[J].清华大学学报(自然科学版),1982(4).
作者姓名:曾大雄
作者单位:电机工程系
摘    要:等离子体焦点装置的性能与在装置中绝缘子表面上发生的初始击穿有关。本工作用毫微秒矩形脉冲发生器结合普通照相的方法研究了焦点装置中套管型绝缘子的沿面放电 发展过程,得到了时间分辩率达(5—10)×10-9s的放电发展过程相片。放电沿绝缘子表面发展,其平均发展速度随所加脉冲幅值、宽度、极性以及放电室内的气压而变。当气压在5—200Torr,脉冲幅值在6—15KV,脉冲宽度在5—80ns的范围内,放电发展速度在107—2×109cm/s之间。试验指出,放电的发光通道连通两极后,放电通道并 不立即转变为良好的等离子体低阻通道。

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