| BaTiO_3 基半导体陶瓷的晶界效应 |
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| 引用本文： | 曲远方,沈继耀,刘玉军.BaTiO_3 基半导体陶瓷的晶界效应[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),1997(5). |
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| 作者姓名： | 曲远方 沈继耀 刘玉军 |
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| 摘 要： | 针对一固定的低电阻率ＰＴＣ配方，在实验手段允许的范围内，以及在能保证瓷体半导化的温度范围内波动时，改变ＰＴＣ瓷片的烧成温度、保温时间和冷却速度，均未实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变；通过涂敷受主氧化物进行热处理，并且热处理温度较低时就能实现由ＰＴＣ效应向晶界层电容效应的转变．基于本实验的现象和数据，对解释ＰＴＣ效应的Ｈｅｙｗａｎｇ模型，Ｄａｎｉｅｌｓ钡空位模型和较为普遍公认的晶界层电容器的双层模型进行总结和修正，提出了双势垒层模型，采用这一模型可圆满解释本实验中的某些现象和问题．
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| 关 键 词： | BaTiO_3，陶瓷，晶界 |
THE GRAIN BOUNDARY EFFECT OF BARIUM TITANATE BASED SEMICONDUCTING CERAMICS |
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| Qu Yuanfang,Shen Jiyao,Liu Yujun.THE GRAIN BOUNDARY EFFECT OF BARIUM TITANATE BASED SEMICONDUCTING CERAMICS[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),1997(5). |
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| Authors: | Qu Yuanfang Shen Jiyao Liu Yujun |
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| Institution: | Dept. of Materials |
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| Keywords: | BaTiO 3 ceramics grain boundary |
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