| KSi能带结构及态密度的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 郝正同,杨子义. KSi能带结构及态密度的第一性原理研究[J]. 井冈山学院学报, 2010, 31(5). DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2010.05.009 |
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| 作者姓名： | 郝正同 杨子义 |
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| 作者单位： | 1. 绵阳师范学院物理与电子工程学院,四川,绵阳,621000;贵州大学理学院,贵州,贵阳,550025
2. 贵州大学理学院,贵州,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 贵州省科学技术基金，贵阳市科技计划项目 |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对KSi的电子结构进行了理论计算,计算表明KSi是一种准直接带隙半导体,禁带宽度为1.42 eV.详细讨论了KSi在费米面附近的价带与导带的电子态密度的结构.
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| 关 键 词： | 第一性原理 电子能带结构 态密度 |
FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS ON ELECTRONIC STRUCTURE OF KSI |
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| HAO Zheng-tong,YANG Zi-yi. FIRST-PRINCIPLES CALCULATIONS ON ELECTRONIC STRUCTURE OF KSI[J]. Journal of Jinggangshan University, 2010, 31(5). DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2010.05.009 |
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| Authors: | HAO Zheng-tong YANG Zi-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | KSi |
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