衬底温度对纳米硅薄膜结构性能的影响 |
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作者姓名: | 聂东林 韩伟强 |
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作者单位: | [1]山东建材学院 [2]清华大学 |
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摘 要: | 在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对nc-Si:H薄膜的结构性能的影响。结构表明随着衬底温度从240℃升高到320℃,薄膜的晶态率从24%增大为65%,平均晶粒尺寸从6nm增大为10nm。当衬底温度≤200℃时,生成薄膜为a-Si:H薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。
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关 键 词: | 硅薄膜 衬底 温度 晶化 纳米材料 薄膜 |
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