| 退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 陈伟,方泽波.退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响[J].西华师范大学学报(哲学社会科学版),2010(1). |
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| 作者姓名： | 陈伟 方泽波 |
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| 作者单位： | 西华师范大学物理与电子信息学院;绍兴文理学院物理与电子信息系; |
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| 基金项目： | 国家自然青年科学基金资助项目(60806031);;浙江绍兴市重点科研项目(2007A21015) |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质薄膜,得到了电学特性优异的薄膜样品,对薄膜的退火研究发现,600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数得到了提高并使其漏电流特性也得到改善,退火后样品的有效介电常数达到了15,在-1.5V偏压下,漏电流密度仅为2.0×10-7A/cm2.氧气退火消除了薄膜中原有的缺陷,并使得薄膜更加致密,表面更加平整.
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| 关 键 词： | 高k栅介质 ErAlO 氧气退火 |
Effect of Annealing on ErAlO Amorphous High-k Gate Dielectric Films Properties |
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| CHEN Wei,FANG Ze-bo.Effect of Annealing on ErAlO Amorphous High-k Gate Dielectric Films Properties[J].Journal of China West Normal University:Natural Science Edition,2010(1). |
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| Authors: | CHEN Wei FANG Ze-bo |
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| Institution: | 1.College of Physics and Electronic Information;China West Normal University;Nanchong 637009;China;2.College of Physics and Electronic Information;Shaoxing University;Shaoxing 312000;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high-k gate dielectric ErAlO O2 annealing |
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