钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究

用ＭＥＶＶＡ离子源将Ｎｄ离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层，用ＸＲＤ分析了掺杂层的物相，用ＡＥＳ分析了掺杂层中离子的浓度分布，分析表明，在强流钕离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量，束流密度及后续热处理条件的改变而变化，还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。