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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究
作者姓名:
肖志松
程国安
张通和
作者单位:
北京师范大学低能核物理研究所
摘 要:
用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成钕硅掺杂层,用XRD分析了掺杂层的物相,用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布,分析表明,在强流钕离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类随注量,束流密度及后续热处理条件的改变而变化,还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论。
关 键 词:
离子注入 单晶硅 硅化物 钕 半导体
修稿时间:
1998-12-29
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