| 多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展 |
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| 引用本文： | 黄君凯,刘璐,邓婉玲.多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展[J].暨南大学学报,2011,32(5):528-533. |
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| 作者姓名： | 黄君凯 刘璐 邓婉玲 |
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| 作者单位： | 暨南大学信息科学技术学院电子工程系,广东广州,510630 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目，中央高校基本科研业务费项目，广东高校优秀青年创新人才培养计划(育苗工程)项目 |
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| 摘 要： | 随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础...
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜晶体管 模型 晶界带隙能态 |
Research progress in characterization of gap energy distribution and electrical model of polysilicon thin film transistors |
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| HUANG Jun-kai,LIU Lu,DENG Wan-ling.Research progress in characterization of gap energy distribution and electrical model of polysilicon thin film transistors[J].Journal of Jinan University(Natural Science & Medicine Edition),2011,32(5):528-533. |
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| Authors: | HUANG Jun-kai LIU Lu DENG Wan-ling |
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