| 调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特性分析 |
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| 引用本文： | 李佳云,孙昌盛.调制增益导引GaAs／GaAIAs锁相激光器阵列的模式特性分析[J].哈尔滨师范大学自然科学学报,1996(1). |
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| 作者姓名： | 李佳云 孙昌盛 |
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| 作者单位： | 哈尔滨师范大学，哈尔滨市教育学院 |
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| 摘 要： | 首次利用液相外延（ＬＰＥ）、标准先刻工艺，两次质子轰击方法，研究和制作了调制增益导引ＣａＡＳ／ＧａＡｌＡｓ锁相激光器阵列．它是由六个激光器陈列元组成，调制增益是通过线性地改变激光器条宽从３μｍ变化到８μｍ，其间距保持常数为５μｍ实现的。观察到了远场单瓣，ＦωＨＰ是１．９°，接近于衍射极限；输出光功率为３００ｍωｆａｃｅｔ（ｃω）；其模式特性为：在１．２Ｉｔｈ＜Ｉ＿（ｉｃ）－＜１．８Ｉｔｈ时为单纵模，否则为多纵模。
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| 关 键 词： | 调制增益 CaAs／CaAlAs锁相激光器阵列 模式特性 |
TAILORED GAIN GaAs/GaAlAs PHASE-LOCKED LASER ARRAYS |
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| Li Jiayun,Sun Cangsheng.TAILORED GAIN GaAs/GaAlAs PHASE-LOCKED LASER ARRAYS[J].Natural Science Journal of Harbin Normal University,1996(1). |
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| Authors: | Li Jiayun Sun Cangsheng |
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| Institution: | Li Jiayun;Sun Cangsheng(Harbin Normal University)(Harbin Education College) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Tailored Gain GaAs/GaAlAsPhase-Lockedarrays Mode |
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