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| P-GaAs层少子扩散长度对AlGaAs/GaAs太阳电池效率的影响 | |
| 引用本文： | 陈朝,杨倩志,闵惠芳,王振英,王兴达.P-GaAs层少子扩散长度对AlGaAs/GaAs太阳电池效率的影响[J].厦门大学学报(自然科学版),1986(3). |
| 作者姓名： | 陈朝 杨倩志 闵惠芳 王振英 王兴达 |
| 作者单位： | 厦门大学物理学系 (陈朝)，中国科学院上海冶金研究所 (杨倩志，闵惠芳，王振英)，中国科学院上海冶金研究所(王兴达) |
| 摘 要： | 为寻找提高AlGaAs/GaAs异质面太阳电池效率的方法,用He-Ne激光实测了一组结构相似电池的效率η和P-GaAs层少子扩散长度L的关系曲线。实验曲线的拟合分析和理论曲线的计算机模拟都表明:η随L的增加或P-GaAs层厚度的减少而增大,最终趋于饱和值η_(max)。若要进一步提高η值就必须改变P-GaAs层以外的参数。计算机分析表明,减少AlGaAs层厚度,减少反向电流密度和品质因子是进一步提高η的有效途径。巳用此方法研制出在AM1下η～20％的高效AlGaAs/GaAs电池。 |
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