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| CdS／SiO2和ZnS／SiO2半导体掺杂玻璃三阶非线性光学性质的… | |
| 引用本文： | 赵青春,刘纯亮.CdS／SiO2和ZnS／SiO2半导体掺杂玻璃三阶非线性光学性质的…[J].西安交通大学学报,1995,29(9):107-112. |
| 作者姓名： | 赵青春 刘纯亮 |
| 摘 要： | 采用溶胶－凝胶和原位生长工艺成功地制备了ＣｄＳ／ＳｉＯ３和ＺｎＳ／ＳｉＯ２半导体微晶掺杂玻璃，给出了该样品三阶非线性光学性质的实验研究方法及最新实验结果。利用简并四波混频技术测得其三阶非线性极化率的大小在１０＾－２０ｍ＾２／Ｗ。此结果比纯ＳｉＯ２基本提高约２－３个数量级。表明半导体掺杂玻璃的三阶光学非线性明显增强。 |
| 关 键 词： | 半导体 掺杂 玻璃 非线性光学 硫化镉 二氧化硅 |
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