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| 氨流量对制备富硅-氮化硅薄膜微结构演化的影响 | |
| 引用本文： | 张璊,闫泽飞,周炳卿.氨流量对制备富硅-氮化硅薄膜微结构演化的影响[J].内蒙古师范大学学报(自然科学版),2021,50(3):215-218,225. |
| 作者姓名： | 张璊 闫泽飞 周炳卿 |
| 作者单位： | 内蒙古师范大学 物理与电子信息学院,内蒙古 呼和浩特 010022;内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室,内蒙古 呼和浩特 010022 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 利用热丝化学气相沉积法制备富硅-氮化硅薄膜,研究氨气流量对薄膜微结构的影响.实验中将热丝温度、衬底温度、沉积压强、硅烷流量及衬底与热丝间距等实验参数优化后,改变氨气流量,制备了一系列SiNx薄膜样品.结果发现,氨气流量增加时,薄膜中Si-N键的形成却受到抑制,薄膜带隙展宽,缺陷态也随之增加.在光致发光谱480～620 ... |
| 关 键 词： | 热丝化学气相沉积法 氨流量 富硅-氮化硅薄膜 微结构 |
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