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| p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究 | |
| 作者姓名： | 罗小蓉 廖伟 廖勇明 洪根深 龚敏 |
| 作者单位： | 四川大学物理学系 |
| 摘 要： | 作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 . |
| 关 键 词： | 6H碳化硅 肖特基二极管 宽禁带半导体 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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