| 甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究 |
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| 引用本文： | 王敬义,何笑明,王宇,王永兴.甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),1991(2). |
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| 作者姓名： | 王敬义 何笑明 王宇 王永兴 |
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| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系
(王敬义，何笑明，王宇)，武汉工业大学(王永兴) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.
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| 关 键 词： | APCVD 非晶硅 甲硅烷 淀积速率 热扩散 |
On the Preparation of a-Si Deposited by APCVD from Silane |
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| Wang Jingyi He Xtaoming Wang Yu Wang Yongxing.On the Preparation of a-Si Deposited by APCVD from Silane[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,1991(2). |
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| Authors: | Wang Jingyi He Xtaoming Wang Yu Wang Yongxing |
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| Institution: | Wang Jingyi He Xtaoming Wang Yu Wang Yongxing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | : APCVD Amorphous silicon Silane Deposition rate Thermal diffusion |
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