有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响 |
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作者姓名: | 张少强 徐重阳 |
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摘 要: | 研究了有源层a-Si:H的厚度对a-Si;HTFT特性的影响,研究结果表明,a-Si:H层的厚度对a-Si;HTFT的静态特性,(如开/关态电流比,阈值电压等)有较大的影响,理论分析表明,这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的,详细分析了背面空间电荷怪的a-Si:HTFT特性的影响,提出了一个a-Si:HTFT有源层厚度优化设计的下限值,理论与实验相符合。
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关 键 词: | 非晶硅 薄膜晶体管 有源层厚度 固定电荷 |
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