有源层厚度对非晶硅薄膜晶体管特性的影响

研究了有源层ａ－Ｓｉ：Ｈ的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ特性的影响，研究结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度对ａ－Ｓｉ；ＨＴＦＴ的静态特性，（如开／关态电流比，阈值电压等）有较大的影响，理论分析表明，这是由于钝化怪固体电荷的有源层背面引入了背面空间电荷层造成的，详细分析了背面空间电荷怪的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，提出了一个ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ有源层厚度优化设计的下限值，理论与实验相符合。