掺铋钇铁石榴石法拉第效应的增强机理研究 |
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引用本文: | 胡华安,何华辉.掺铋钇铁石榴石法拉第效应的增强机理研究[J].华中理工大学学报,1996,24(9):104-106. |
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作者姓名: | 胡华安 何华辉 |
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作者单位: | 固体电子学系 |
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摘 要: | 采用DV-Xα方法计算了YIG及Bi-YIG薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致法拉第效应的两种电荷转移跃迁,Bi^3+离子的掺入,增大了跃迁的振子强度,Bi6p与Fe3d形成具有较大自旋-轨道相互作用的耦合轨道,它们是Bi=YIG的法拉第旋转角增大的原因。
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关 键 词: | YIG薄膜 法拉第效应 DV-Xα法 |
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