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| 射频溅射淀积PZT铁电薄膜及其结构分析 | |
| 引用本文： | 李兴教,刘建设.射频溅射淀积PZT铁电薄膜及其结构分析[J].华中理工大学学报,1996,24(A01):118-120. |
| 作者姓名： | 李兴教 刘建设 |
| 摘 要： | 在镀Ｐｔ的Ｓｉ基底上用射频溅射方式制备了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，成膜温度为２５０℃。Ｘ射线衍射分析表明几乎没有焦绿石相产生。另一方面，氧化钛－氧化锆固溶体则作为反应产物出现，由此提出了ＰＺＴ固溶体的一种可能的形成机理。 |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 结构分析 溅射 锆钛酸铅 PZT |
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