掺杂多晶硅膜电特性的模拟分析 |
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引用本文: | 徐静平,丘思畴.掺杂多晶硅膜电特性的模拟分析[J].华中理工大学学报,1996,24(A01):121-125. |
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作者姓名: | 徐静平 丘思畴 |
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摘 要: | 在Seto陷阱模型基础上,通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度,建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明,该模型不但适用于小晶粒,而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析,且与实验数据符合较好;对于大晶粒的情况,模型的迁移率也是在N=N^*处最小,其中N^*随晶粒的增大而减小;分析还表明,体电阻率在N>N^*时对于精确估计迁移率的重要性,以及大晶粒的多晶硅结构有利于材料电阻率的控制和降低。
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关 键 词: | 多晶硅膜 陷阱模型 电特性 模拟分析 |
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