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基本FFET的试制和性能研究
引用本文:
于军,周文利.基本FFET的试制和性能研究[J].华中理工大学学报,1996,24(3):68-70.
作者姓名:
于军
周文利
摘 要:
论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理,给出了其设计方案。采用SLO-GEL法制备了基本的MFS-FET和MFOS-FET,对其电性能进行了测试分析。测试结果表明:MFOS结构的FFET具有极化存储特性。
关 键 词:
MFOS结构
FFET
场效应晶体管
铁电场效应器件
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