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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
氮化物半导体电子器件新进展
作者姓名:
郝跃
张金风
张进成
马晓华
郑雪峰
作者单位:
西安电子科技大学微电子学院、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
摘 要:
氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮化物材料的高耐压能力.近年来,GaN HEMT器件主要在微波功率和电力电子2个领域得到了快速发展.本文评述了GaN微波毫米波功率器件和高效电力电子器件的若干研究进展,并提出了氮化物电子器件仍存在的问题及解决方向.
关 键 词:
氮化物半导体材料
微波功率器件
电力电子器件
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