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| 氮化物半导体电子器件新进展 | |
| 引用本文： | 郝跃,张金风,张进成,马晓华,郑雪峰.氮化物半导体电子器件新进展[J].科学通报,2015(10):874-881. |
| 作者姓名： | 郝跃 张金风 张进成 马晓华 郑雪峰 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室 |
| 摘 要： | 氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮化物材料的高耐压能力.近年来,GaN HEMT器件主要在微波功率和电力电子2个领域得到了快速发展.本文评述了GaN微波毫米波功率器件和高效电力电子器件的若干研究进展,并提出了氮化物电子器件仍存在的问题及解决方向. |
| 关 键 词： | 氮化物半导体材料 微波功率器件 电力电子器件 |
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